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Navegando por Autor Silva, E. A. de Andrada e

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Data do documentoTítuloAutor(es)Tipo
Jun-2004Spin-dependent conductance in nonmagnetic InGaAs asymmetric double barrier devicesAraújo, Carlos Moysés; Silva, A. Ferreira da; Persson, C.; Ahuja, Rajeev; Silva, E. A. de Andrada eArtigo de Periódico
Jun-2002Resonant tunneling of polarized electrons through nonmagnetic III-V semiconductor multiple barriersAraújo, Carlos Moysés; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada eArtigo de Periódico
2009Variational rashba splitting in two-dimensional electron gases in III-V semiconductor heterojunctionsSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; La Rocca, G. C.Artigo de Periódico
2012Mesoscopic spin-orbit effect in the semiconductor nanostructure electron g factorSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2013Spin-orbit interaction strength and anisotropy in III-V semiconductor heterojunctionsSandoval, M. A. Toloza; Silva, A. Ferreira da; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico
2016Electron g factor anisotropy in asymmetric III–V semiconductor quantum wellsSandoval, M. A. Toloza; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. La; Silva, Antônio Ferreira daArtigo de Periódico
2011Variational analysis of the Rashba splitting in III–V semiconductor inversion layersSilva, A. Ferreira da; Sandoval, M. A. Toloza; Silva, E. A. de Andrada e; Rocca, G. C. LaArtigo de Periódico