Skip navigation
Universidade Federal da Bahia |
Repositório Institucional da UFBA
Use este identificador para citar ou linkar para este item: https://repositorio.ufba.br/handle/ri/7852
Registro completo de metadados
Campo DCValorIdioma
dc.contributor.authorEsperidião, Antônio Sérgio Cavalcante-
dc.contributor.authorVasconcellos, Aurea R.-
dc.contributor.authorLuzzi, Roberto-
dc.creatorEsperidião, Antônio Sérgio Cavalcante-
dc.creatorVasconcellos, Aurea R.-
dc.creatorLuzzi, Roberto-
dc.date.accessioned2013-01-14T19:10:27Z-
dc.date.available2013-01-14T19:10:27Z-
dc.date.issued1990-
dc.identifier.issn0038-1098-
dc.identifier.urihttp://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/7852-
dc.descriptionp. 1 - 4pt_BR
dc.description.abstractWe show that, in n-doped semiconductors under continuous laser illumination the homogeneous steady-state of carriers becomes, in the degenerate regime, unstable against the formation of spatial order at the macroscopic level. Beyond a critical distance from equilibrium this nonequilibrium phase transition occurs, corresponding to the formation of a polarization wave of electrons and holes. It is the result of the interplay of collective and nonlinear dissipative effects in the far-from-equilibrium system.pt_BR
dc.language.isoenpt_BR
dc.publisherSolid State Communicationspt_BR
dc.sourcehttp://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(90)90450-Ppt_BR
dc.titleSteady-state polarization waves in photoexcited n-doped semiconductorspt_BR
dc.title.alternativeSolid State Communicationspt_BR
dc.typeArtigo de Periódicopt_BR
dc.description.localpubSalvadorpt_BR
dc.identifier.numberv. 74, n. 9pt_BR
Aparece nas coleções:Artigo Publicado em Periódico (FIS)

Arquivos associados a este item:
Arquivo Descrição TamanhoFormato 
bbbb.pdf258,81 kBAdobe PDFVisualizar/Abrir
Mostrar registro simples do item Visualizar estatísticas


Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.