https://repositorio.ufba.br/handle/ri/7851| Tipo: | Artigo de Periódico |
| Título: | Effect of three-donor cluster on infrared absorption of semiconductor systems |
| Título(s) alternativo(s): | Solid State Communications |
| Autor(es): | Silva, A Ferreira da Canuto, Sylvio |
| Autor(es): | Silva, A Ferreira da Canuto, Sylvio |
| Abstract: | The density of states in n-doped Si in the intermediate impurity concentration range has been calculated for an interacting three-donor molecule. The results support the interpretation that the observed far infrared absorption at the energies below 30 meV is due to the electronic transition H? -+ H: from their impurity ground states. |
| Editora / Evento / Instituição: | Solid State Communications |
| URI: | http://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/7851 |
| Data do documento: | 1990 |
| Aparece nas coleções: | Artigo Publicado em Periódico (FIS) |
| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| aaa15.pdf | 246,86 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.